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无线电电子学论文_第七届全国新型半导体功率
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摘要:文章摘要:正一、征文范围宽禁带(GaN、SiC等)外延材料的结构设计、制备与检测技术;功率器件用GaAs、InP外延材料的结构设计、制备与检测技术;基于金刚石、石墨烯的功率器件的结构设计
文章摘要:<正>一、征文范围宽禁带(GaN、SiC等)外延材料的结构设计、制备与检测技术;功率器件用GaAs、InP外延材料的结构设计、制备与检测技术;基于金刚石、石墨烯的功率器件的结构设计、加工与测试技术;微波功率器件的结构设计、加工与测试技术;电力电子器件的结构设计、加工与测试技术;特种高功率半导体器件的结构设计、加工与测试技术;功率器件的封装和可靠性技术;功率器件的系统集成技术;功率器件及其系统集成的仿真技术;相关的加工、检验、测试的先进仪器与设备;功率器件及其电路在电子制造业、网络通信、消费电子、工业控制、汽车电子等领域的应用技术;半导体功率器件相关技术的知识产权保护。
文章关键词:半导体功率器件,研讨会,产业融合发展,
论文分类号: +
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文章来源:《测试技术学报》 网址: http://www.csjsxbzz.cn/qikandaodu/2021/0818/1300.html
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